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Radiant PiezoMEMS薄膜壓電分析儀將數(shù)字、模擬和通信電路功能與已有的精密Multiferroic非線(xiàn)性材料測(cè)試儀相結(jié)合，所有這些功能都由Radiant的Vision可編程測(cè)試環(huán)境進(jìn)行監(jiān)測(cè)。壓電MEMS分析儀不僅測(cè)量商用產(chǎn)品的致動(dòng)器和傳感器元件的壓電特性，還將與產(chǎn)品的電子邏輯進(jìn)行通信，與嵌入式微處理器進(jìn)行通信，提供異步電壓和脈沖，并測(cè)量傳感器頻率。

EddyCus® map 2530RM電阻率測(cè)試儀在非接觸模式下自動(dòng)測(cè)量大型樣品的薄層電阻，最大可達(dá)300×300平方毫米（12×12英寸）。在手動(dòng)樣品定位時(shí)，該設(shè)備會(huì)自動(dòng)測(cè)量并顯示整個(gè)樣品區(qū)域的薄層電阻的準(zhǔn)確映射。測(cè)量設(shè)置允許輕松靈活地在低于 1 分鐘的快速測(cè)量時(shí)間或超過(guò) 10,000 個(gè)測(cè)量點(diǎn)的高空間測(cè)量分辨率之間進(jìn)行選擇。

EddyCus map C2C全自動(dòng)電阻率成像系統(tǒng)用于晶圓襯底或外延片的全面積表征，以確保半導(dǎo)體行業(yè)的工藝可靠性和質(zhì)量保證。該系統(tǒng)配備了兩個(gè)在傳輸模式下工作的非接觸式渦流傳感器。這允許非常詳細(xì)地顯示基底材料或?qū)щ娡繉拥木鶆蛐浴Ｔ撓到y(tǒng)能夠測(cè)量薄膜的薄層電阻或金屬膜厚度以及晶圓襯底的電阻率。

EddyCus TF lab 2020電阻率測(cè)量?jī)x可以對(duì)導(dǎo)電薄膜進(jìn)行手動(dòng)單點(diǎn)測(cè)量，并以非接觸模式對(duì)薄金屬層進(jìn)行層厚測(cè)量。這個(gè)緊湊的臺(tái)式設(shè)備是快速和準(zhǔn)確測(cè)量200 x 200 mm²（8 x 8英寸）以下樣品的理想選擇。除了測(cè)量導(dǎo)電薄層外，還可以分析摻雜的晶圓和導(dǎo)電聚合物。

四探針面電阻測(cè)量?jī)xSD-800采用四探針接觸式原理，用于測(cè)量導(dǎo)電膜層的面電阻，探針直徑大，針頭光滑，能伸縮，不易 劃傷膜層。儀器有多個(gè)量程范圍可自動(dòng)選擇，以O(shè)hm/sq或Siemens/sq顯示數(shù)據(jù)，校準(zhǔn)數(shù)據(jù)和測(cè)量結(jié)果 自動(dòng)存儲(chǔ)。

非接觸式面電阻測(cè)試儀Statometer G采用感應(yīng)式測(cè)量原理，無(wú)探針接觸導(dǎo)電膜層，既可測(cè)量表面導(dǎo)電也可測(cè)量表面不導(dǎo)電的導(dǎo)電玻璃和導(dǎo)電膜層，是目前Low-E鍍膜生產(chǎn)普遍選用的優(yōu)質(zhì)選擇。